Published August 2001
| Version v1
Journal article
On the nature of the 5560 cm-1 divacancy absorption band in Si1-xGex
- 1. Inst. Fiziki NAN Ukrainy, Kiev (Ukraine)
- 2. Inst. Fiziki Tverdogo Tela RAN, Chernogolovka (Russian Federation)
- 3. Inst. Rosta Kristallov, Berlin (Germany)
Description
It has been shown that in Si1-xGex (0 ≤ x ≤ 0.15) single crystals two type centers are formed during irradiation: divacancies V2, that are characteristic of silicon, and V*2, which are complexes of V2 with Ge atoms (V2Ge). As a result, the absorption band near 5560 cm-1 is a superposition of two absorption bands corresponding to these centers. During an isochronous annealing in the temperature range of 100-400 deg C, an interaction of the diffusion V2 with Ge atoms takes place and the additional formation of the V*2 is observed. The V*2 centers are more thermally stable than V2 ones and their annealing temperature rises with Ge content increasing
Abstract (Russian)
Обнаружено, что в монокристаллах Si1-xGex (0 ≤ x ≤ 0.15) в процессе облучения быстрыми электронами образуются два типа центров: дивакансии V2, характерные для кремния, и V*2 - комплексы дивакансий V2 с атомами германия (V2Ge), а полоса поглощения вблизи 5560 см-1 является суперпозицией двух полос поглощения, соответствующих этим центрам. При изохронном отжиге в интервале температур 100-400 град С диффундирующие V2 взаимодействуют с атомами германия, приводя к дополнительному образованию V*2. Центры V*2 более термостабильны, чем V2, и температура их отжига повышается с увеличением содержания германияAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- О природе полосы поглощения дивакансии 5560 cм
Publishing Information
- Journal Title
- Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
- Journal Volume
- 35
- Journal Issue
- 8
- Journal Page Range
- p. 927-931
- ISSN
- 0015-3222
- CODEN
- FTPPA4
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 34045500
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Descriptors DEI
- ABSORPTION SPECTRA; ANNEALING; CONCENTRATION RATIO; ELECTRON BEAMS; GERMANIUM SILICIDES; MEV RANGE 01-10; MONOCRYSTALS; PHYSICAL RADIATION EFFECTS; RADIATION DOSES; SOLID SOLUTIONS; TEMPERATURE RANGE 0400-1000 K; VACANCIES
- Descriptors DEC
- BEAMS; CRYSTAL DEFECTS; CRYSTAL STRUCTURE; CRYSTALS; DISPERSIONS; DOSES; ENERGY RANGE; GERMANIUM COMPOUNDS; HEAT TREATMENTS; HOMOGENEOUS MIXTURES; LEPTON BEAMS; MEV RANGE; MIXTURES; PARTICLE BEAMS; POINT DEFECTS; RADIATION EFFECTS; SILICIDES; SILICON COMPOUNDS; SOLUTIONS; SPECTRA; TEMPERATURE RANGE
Optional Information
- Notes
- 24 refs., 5 figs.