Published September 2005 | Version v1
Journal article

Observation of antiphase domains in CdxHg1-xTe films on silicon by the method of phase contrast in atomic force microscopy

  • 1. SO RAN, Inst. Fiziki Poluprovodnikov, Novosibirsk (Russian Federation)
  • 2. Novosibirskij Gosudarstvennyj Univ., Novosibirsk (Russian Federation)

Description

It has been shown that phase contrast in atomic force microscopy can be used to obtain adequate information on the density and distribution of antiphase domains on the surface of CdHgTe films grown by molecular beam epitaxy on a Si(301) substrate. By comparing the atomic force microscopy phase images of the film surface with images of structural defects in the near-surface region, the relation between microstructure and micromorphology of the films is revealed

Abstract (Russian)

Продемонстрирована возможность использования фазового контраста в атомно-силовой микроскопии для получения адекватной информации о плотности и характере распределения антифазных доменов на поверхности пленок CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности Si(301). Сопоставление фазовых изображений поверхности пленок в атомно-силовом микроскопе с изображениями структурных дефектов в приповерхностной области в просвечивающем электронном микроскопе позволило установить связь между микроструктурой и микроморфологией пленок

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Наблюдение антифазных доменов в пленках Cд

Publishing Information

Journal Title
Pis'ma v Zhurnal Ehksperimental'noj i Teoreticheskoj Fiziki
Journal Volume
82
Journal Issue
5-6
Journal Page Range
p. 326-330
ISSN
0370-274X
CODEN
PZETAB

Optional Information

Notes
10 refs., 4 figs.