Published 2010
| Version v1
Miscellaneous
Radiation-stimulated synthesis of light-emitting Si-nanostructures in stoichiometric SiO2 under effect of high-energy heavy ions
- 1. Inst. Fiziki Poluprovodnikov SO RAN, Novosibirsk (Russian Federation)
- 2. Ob''edinennyj Inst. Yadernykh Issledovanij, Dubna (Joint Institute for Nuclear Research (JINR))
Description
Using the methods of Raman spectroscopy, photoluminescence and X-ray photoelectron spectroscopy the effect of high-energy heavy Xe-ions (167 MeV, 1014 sm-2) on the layers of stoichiometric SiO2 is studied. The formation of the excess Si in irradiated layers, decrease of number of Si-4O (SiO2) bonds and appearance of four-coordinated silicon atoms are marked. In photoluminescence spectra a wide peak in ∼600 nm area is arose. Emission in this part of spectrum is usually referred to silicon quantum-sized nanoprecipitates of various forms. The results obtained are interpreted as partial SiO2 decomposition and formation of light-emitting silicon nanostructures in heavy-ion tracks
Abstract (Russian)
Методами рамановской спектроскопии, фотолюминесценции и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии изучено действие высокоэнергетичных тяжелых ионов Xe (167 МэВ, 1014 см-2) на слои стехиометрического SiO2. Отмечается образование избыточного Si в облученных слоях, уменьшение числа связей Si-4О (SiO2) и появление четырехкоординированных атомов кремния. В спектрах фотолюминесценции после бомбардировки и пассивирующих отжигов появляется широкий пик в области ∼600 нм. Эмиссия в этой части спектра обычно приписывается квантово-размерным нанопреципитатам кремния различных форм. Полученные результаты интерпретируются как частичный распад SiO2 и формирование светоизлучающих наноструктур кремния в треках тяжелых ионовAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Радиационно-стимулированный синтез светоизлучающих Си-наноструктур в стехиометрическом SiO
Publishing Information
- Publisher
- Isd-vo TPU
- Imprint Place
- Tomsk (Russian Federation)
- Imprint Title
- VII International scientific conference Radiation-thermal effects and processes in inorganic materials. Proceedings
- Imprint Pagination
- 768 p.
- Journal Page Range
- p. 51-53
- Report number
- INIS-RU--534
Conference
- Title
- 7. international scientific conference radiation-thermal effects and processes in inorganic materials
- Original Conference Title
- VII Mezhdunarodnaya nauchnaya konferentsiya Radiatsionno-termicheskie ehffekty i protsessy v neorganicheskikh materialakh
- Dates
- 2-10 Oct 2010
- Place
- Tomsk (Russian Federation)
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 44066103
- Subject category
- S77: NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY;
- Resource subtype / Literary indicator
- Conference
- Descriptors DEI
- CHEMICAL BONDS; COORDINATION NUMBER; MEV RANGE 100-1000; NANOSTRUCTURES; PARTICLE TRACKS; PHOTOLUMINESCENCE; RAMAN SPECTROSCOPY; SILICON OXIDES; THIN FILMS; XENON IONS; X-RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY
- Descriptors DEC
- CHALCOGENIDES; CHARGED PARTICLES; ELECTRON SPECTROSCOPY; EMISSION; ENERGY RANGE; FILMS; IONS; LASER SPECTROSCOPY; LUMINESCENCE; MEV RANGE; OXIDES; OXYGEN COMPOUNDS; PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; PHOTON EMISSION; SILICON COMPOUNDS; SPECTROSCOPY
Optional Information
- Notes
- 8 refs., 4 figs. Imprint:Trudy VII Mezhdunarodnoj nauchnoj konferentsii Radiatsionno-termicheskie ehffekty i protsessy v neorganicheskikh materialakh