Published 1978
| Version v1
Journal article
Demagnifying electron projection with grid masks
Creators
- 1. Siemens A.G., Erlangen (Germany, F.R.). Forschungslaboratorium
Description
Tightly toleranced micro- and submicrostructures with smooth edges were realized by using transmission masks with an improved supporting grid (width of traverses 0.8 μm). Local edge shift due to the proximity effect is kept at a minimum. Supporting grids with stil narrower traverses (0.5 μm) were prepared by generating the grid pattern by electron beam writing. Masks of this kind allow projection at a demagnification ratio of 1:4, resulting in large image fields. (orig.)
Abstract (German)
Bei Verwendung von Transmissionsmasken mit verbessertem Stuetzgitter (Stegbreite 0,8 μm) koennen Mikro- und Submikrostrukturen mit guter Konturengenauigkeit und Kantenglaette erhalten werden. Die durch den Proximity-Effekt verursachten oertlichen Unterschiede in der Kantenverschiebung lassen sich gering halten. Stuetzgitter mit noch schmaleren Stegen (0,5 μm) konnten mit Hilfe elektronenstrahlgeschriebener Netzmuster praepariert werden. Derartige Masken eroeffnen die Moeglichkeit, Projektionen bei einer Verkleinerung von 1:4 vorzunehmen, so dass sich groessere Bildfelder ergeben. (orig.)Additional details
Publishing Information
- Journal Title
- Siemens Forsch.- Entwicklungsber.
- Journal Volume
- 7
- Journal Issue
- 1
- Series
- Siemens Forsch.- Entwicklungsber.
- Journal Page Range
- 28-33
INIS
- Country of Publication
- Germany
- Country of Input or Organization
- Germany
- INIS RN
- 10421204
- Subject category
- S07: ISOTOPES AND RADIATION SOURCES;
- Descriptors DEI
- BEAM OPTICS; ELECTRON BEAMS; FABRICATION; GRIDS; IMAGES; INTEGRATED CIRCUITS; LINE WIDTHS
- Descriptors DEC
- BEAMS; ELECTRODES; ELECTRONIC CIRCUITS; LEPTON BEAMS; PARTICLE BEAMS