Published July 2001 | Version v1
Journal article Metadata-only

The pinning of the chemical potential and electrical properties of irradiated CdxHg1-xTe alloys

Creators

  • 1. Sibirskij Fiziko-Tekhnicheskij Inst. im. V.D. Kuznetsova, Tomsk (Russian Federation)

Description

The composition dependence on the local neutrality level Elnl in CdxHg1-xTe alloys has been investigated using the material calculations. It has been revealed that for the composition x < 0.47 the Elnl-energy is within the range of the condition band energies while for x > 0.47 - in the upper half of the forbidden gap. Proceeding from identification of the Elnl-energy with the Fermi-level limit position (Flim) in a semiconductor irradiated by particles with the high energy, it has been concluded that the high energy particle bombardment leads to the n+- or n-type conductivity of CdxHg1-xTe alloys

Abstract (Russian)

Теоретически исследована композиционная зависимость уровня локальной электронейтральности Еlnl в сплавах CdxHg1-xTe. Показано, что для составов х < 0.47 уровень Elnl расположен в области разрешенных энергий зоны проводимости, а для x > 0.47 - в верхней половине запрещенной зоны. Из отождествления расчетных значений Elnl и предельного положения уровня Ферми Flim облученном высокоэнергетическими частицами CdxHg1-xTe делается вывод о том, что этим обусловлен соответственно n+- или n-тип проводимости такого материала

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Закрепление химического потенциала и электрические свойства облученных сплавов Cд

Publishing Information

Journal Title
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
Journal Volume
35
Journal Issue
7
Journal Page Range
p. 819-822
ISSN
0015-3222
CODEN
FTPPA4

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
34010450
Subject category
S36: MATERIALS SCIENCE;
Descriptors DEI
BAND THEORY; CADMIUM TELLURIDES; CHARGED PARTICLES; CONCENTRATION RATIO; CRYSTAL DEFECTS; ELECTRICAL PROPERTIES; ENERGY GAP; FERMI LEVEL; MERCURY TELLURIDES; PHYSICAL RADIATION EFFECTS; SEMICONDUCTOR MATERIALS; SOLID SOLUTIONS; THERMODYNAMIC ACTIVITY
Descriptors DEC
CADMIUM COMPOUNDS; CHALCOGENIDES; CRYSTAL STRUCTURE; DISPERSIONS; ENERGY LEVELS; HOMOGENEOUS MIXTURES; MATERIALS; MERCURY COMPOUNDS; MIXTURES; PHYSICAL PROPERTIES; RADIATION EFFECTS; SOLUTIONS; TELLURIDES; TELLURIUM COMPOUNDS

Optional Information

Notes
20 refs., 2 figs., 1 tab.