Les imageurs CMOS representent un outil d'avenir pour de nombreuses applications scientifiques de haut vol, telles que l'observation spatiale ou les experiences nucleaires. En effet, ces imageurs ont vu leurs performances demultipliees ces dernieres annees grace aux avancees incessantes de la microelectronique, et presentent aussi des avantages indeniables qui les destinent a remplacer les CCDs dans les futurs instruments spatiaux. Toutefois, en environnement spatial ou nucleaire, ces imageurs doivent faire face aux attaques repetees de particules pouvant rapidement degrader leurs performances electro-optiques. En particulier, les protons, electrons et ions presents dans l'espace ou les neutrons de fusion nucleaire peuvent deplacer des atomes de silicium dans le volume du pixel et en rompre la structure cristalline. Ces effets de deplacement peuvent former des defauts stables introduisant des etats d'energie dans la bande interdite du silicium, et ainsi conduire a la generation thermique de paires electron-trou. Par consequent, ces radiations non-ionisantes produisent une augmentation permanente du courant d'obscurite despixels de l'imageur et donc a une diminution de leur sensibilite et de leur dynamique. L'objectif des presents travauxest d'etendre la comprehension des effets de deplacement sur l'augmentation du courant d'obscurite dans les imageurs CMOS. En particulier, ces travaux se concentrent sur l'etude de la forme de la distribution de courant d'obscurite en fonction du type, de l'energie et du nombre de particules ayant traverse l'imageur, mais aussi en fonction des caracteristiques de l'imageur. Ces nombreux resultats permettent de valider physiquement et experimentalement un modele empirique de prediction de la distribution du courant d'obscurite pour une utilisation dans les domaines spatial et nucleaire. Une autre partie majeure de ces travaux consiste a utiliser pour la premiere fois la technique de spectroscopie de courant d'obscurite pour detecter et caracteriser individuellement les defauts generes par les radiations non-ionisantes dans les imageurs CMOS. De nombreux types de defauts sont detectes et deux sont identifies, prouvant l'applicabilite de cette technique pour etudier la nature des defauts cristallins generes par les effets de deplacement dans le silicium. Ces travaux avancent la comprehension des defauts responsables de l'augmentation du courant d'obscurite en environnement radiatif, et ouvrent la voie au developpement de modeles de prediction plus precis, voire de techniques permettant d'eviter la formation de ces defauts ou de les faire disparaitre

 

 Es wird ein Ueberblick ueber den aktuellen Stand der experimentellen Untersuchung der Wechselwirkungen des neutralen Stroms gegeben. Die grundlegenden Eigenschaften der neutralen Stroeme wurden in vier Hauptbereichen untersucht: inklusive Reaktionen, Produktion einzelner Pionen, elastische Streuung an Protonen und elastische Streuung an Elektronen. Neue, auf dem Symposium vorgestellte Daten werden mit bereits bekannten Daten verglichen. Die Eigenschaften der neutralen Stroeme werden im Licht all dieser Ergebnisse diskutiert. Die Tatsache, dass die neutralen Stroeme mit entsprechender Staerke in atomaren Uebergaengen bisher nicht beobachtet wurden, ist Gegenstand der Diskussion. Experimente werden angegeben, die moeglicherweise dieses Dilemma aufloesen. (orig.)