Mis en evidence experimentalement au debut des annees 2010, les couples de spin-orbite (SOTs) ont tres rapidement suscite un tres fort interet dans la communaute du magnetisme et de l'electronique de spin. En effet, ils permettent, dans un empilement de type metal lourd/metal ferromagnetique/oxyde (HM/FM/Ox), de manipuler l'aimantation de la couche ferromagnetique (FM) en injectant un courant dans le plan des couches. En remarquant que la bicouche FM/Ox correspond a la moitie d'un empilement typique utilise dans les cellules memoires de types MRAM (Magnetic Random Access Memory, memoire magnetique a acces aleatoire), on comprend que ce mecanisme est tres interessant pour l'ecriture de la couche libre de ces cellules. En effet, le courant d'ecriture ne traverse plus la barriere tunnel, ce qui repond naturellement a certaines limitations des MRAM actuelles. L'interpretation physique de ces phenomenes s'est cependant revelee particulierement complexe. Ces couples ont deux composantes, generalement appelee 'Field-like', FL, et 'Damping-like', DL. Si dans un premier temps, les etudes theoriques ont predit que la composante DL provenait principalement d'un effet de volume dans la couche HM, et que la composante FL provenait principalement d'un effet d'interface, des etudes experimentales plus recentes ont montre qu'il n'etait pas si simple de separer ces deux contributions. Dans ce travail de these, nous avons choisi une approche originale permettant de n'etudier qu'une seule des deux contributions. Pour ce faire, nous avons choisi de nous concentrer sur la contribution interfaciale en etudiant des echantillons de types Ox1/FM/Ox2. Nous avons ainsi pu mettre en evidence dans ces empilements la presence de SOTs ce qui n'etait a priori pas si evident dans une structure ne contenant pas de metal lourd et presentant de surcroit une forte symetrie. D'autre part, nous avons pu montrer que seule la composante FL de ces couples etait presente. Le comportement inattendu de ce FL-SOT en fonction de l'epaisseur de la couche FM, nous a conduit a proposer un modele base sur la combinaison d'un effet interfacial de type Rahsba et d'un effet de confinement quantique du a la tres faible epaisseur de materiau conducteur dans ces empilements