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AbstractAbstract
[en] After it was determined that, with regard to repair properties by neutron irradiation of the single silicon crystal doped with phosphorus isotope P31, the initial material must be regarded as the characteristic property, certain tempering temperatures are given depending on the ratio of thermal to fast neutron flow as limiting values of carbon concentration. The following data are given in detail: For irradiation with 99% thermal neutrons, the tempering temperature is independent of carbon content at and above 7000C. For between 50% and 90% of thermal neutrons and carbon content less than 3 x 1016, temperatures of 7500 to 10000C are to be set, for 90% to 99% of thermal neutrons and carbon contents of more than 3 x 1016, temperatures of more than 10000C and for carbon content less than 3 x 1016 temperatures much lower than 7500C. The tempering effect after at least 30 minutes is independent of the existing furnace atmosphere. (ORU)
[de]
Nachdem festgestellt wurde, dass im Hinblick auf das Ausheilverhalten von durch Neutronenbestrahlung mit dem Phosphorisotop P31 p-dotierten Siliciumeinkristallen der Kohlenstoffgehalt des Ausgangsmaterials als charakteristische Eigenschaft angesehen werden muss, werden in Abhaengigkeit vom Verhaeltnis thermischer, schneller Neutronenfluss fuer Grenzwerte der Kohlenstoffkonzentration bestimmte Temperaturen angegeben. Im einzelnen werden folgende Angaben gemacht: Bei Bestrahlung mit 99% thermischen Neutronen ist die Temperatur unabhaengig vom Kohlenstoffgehalt >= 7000C. Zwischen 50 und 90% thermischen Neutronen und Kohlenstoffgehalt <3.1016 sind Temperaturen von 750 bis 10000C einzustellen, bei 90 bis 99% thermische Neutronen und Kohlenstoffgehalt >3.1016 Temperaturen >10000C und bei Kohlenstoffgehalt <3.1016 Temperaturen >=7500C. Der Tempereffekt nach mindestens 30 min ist von der herrschenden Ofenatmosphaere unabhaengig. (ORU)Original Title
Verfahren zum Ausheilen von Kristallgitterschaeden in durch Neutroneneinstrahlung mit dem Phosphorisotop 31sup(p) dotierten Siliciumkristallen
Secondary Subject
Source
11 May 1978; 6 p; DE PATENT DOCUMENT 2650779/A/; Also available from Dt. Patentamt, Muenchen (FRG)
Record Type
Patent
Country of publication
BARYON REACTIONS, BARYONS, CRYSTAL STRUCTURE, ELEMENTARY PARTICLES, ELEMENTS, FERMIONS, HADRON REACTIONS, HADRONS, HEAT TREATMENTS, ISOTOPES, LIGHT NUCLEI, NEUTRONS, NONMETALS, NUCLEAR REACTIONS, NUCLEI, NUCLEON REACTIONS, NUCLEONS, ODD-EVEN NUCLEI, PHOSPHORUS ISOTOPES, RADIATION EFFECTS, SEMIMETALS, STABLE ISOTOPES
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