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AbstractAbstract
[en] The influence of substitutionally dissolved impurity-atoms on radiation-induced void-formation is dealt with in this work. For this reason highly pure copper and four copper-alloys were exposed to radiation of 150-KeV-Cu+-ions. In additional experiments the binding-energy between dissolved impurity-atoms and lattice-vacancies, the annealing of voids and the self-sputter-rate were determined. The result shows a clear reduction of void-formation in copper-indium and copper-magnesium-alloys and an extraordinarily strong increase of void-formation in copper-gold and copper-palladium-alloys. (orig.) 891 WBU
[de]
In dieser Arbeit wird der Einfluss substitutionell geloester Fremdatome auf die strahlungsinduzierte Porenbildung untersucht. Zu diesem Zweck wurden Reinstkupfer und vier verschiedene Kupferlegierungen mit 150 KeV-Cu+ -Ionen bestrahlt. In weiteren Untersuchungen werden die Bindungsenergie zwischen geloesten Fremdatomen und Gitterleerstellen, das Ausheilverhalten der Poren unter Temperatureinfluss und die Eigensputterrate von Kupfer bestimmt. Die Ergebnisse zeigen eine deutliche Reduzierung der Porenbildung in den Systemen Kupfer-Indium und Kupfer-Magnesium und eine aussergewoehnlich starke Zunahme der Porenbildung in den Systemen Kupfer-Gold und Kupfer-Palladium. (orig.)Original Title
Einfluss substitutionell geloester Fremdatome auf die Porenbildung in binaeren Kupferlegierungen
Source
Jun 1978; 143 p; Diss.
Record Type
Report
Literature Type
Thesis/Dissertation
Report Number
Country of publication
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INIS IssueINIS Issue