Filters
Results 1 - 1 of 1
Results 1 - 1 of 1.
Search took: 0.014 seconds
AbstractAbstract
[en] Transition to single crystal of polycrystalline Si material underlying a Si crystal substrate of 100 orientation was obtained via laser irradiation. The changes in the structure were analyzed by reflection high energy electron diffraction and by channeling effect technique using 2.0 MeV He Rutherford scattering. The power density required to induce the transition in a 4500 A thick polycrystalline layer is about 70 MW/cm2 (50ns). The corresponding amorphous to single transition has a threshold of about 45 MW/cm2. (orig.) 891 HPOE
[de]
Durch Einstrahlen von Laserlicht wurde der Uebergang von polykristallinem Si-Material, das sich auf einem kristallinen Substrat in 100 -Orientierung befindet, in den kristallinen Zustand erreicht. Die Aenderungen in der Struktur wurden durch Reflektionsdiffraktion hochenergetischer Elektronen und durch Channeling-Methoden mit Hilfe von 2.0 MeV He Rutherfordstrennung nachgewiesen. Die fuer den Uebergang einer 4500 A dicken polykristallinen Schicht notwendige Leistungsdichte betraegt etwa 70 MW/cm2 (50ns). Der entsprechende Uebergang zwischen dem amorphen und dem einkristallinen Zustand hat eine Schwelle bei etwa 45 MW/cm2. (orig.)Record Type
Journal Article
Journal
Applied Physics; v. 17(1); p. 111-113
Country of publication
Reference NumberReference Number
INIS VolumeINIS Volume
INIS IssueINIS Issue