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Jaentsch, O.; Feigt, I.; Willig, W.R.
Siemens A.G., Berlin (Germany, F.R.); Siemens A.G., Muenchen (Germany, F.R.); Deutsches Patentamt, Muenchen (Germany, F.R.)1977
Siemens A.G., Berlin (Germany, F.R.); Siemens A.G., Muenchen (Germany, F.R.); Deutsches Patentamt, Muenchen (Germany, F.R.)1977
AbstractAbstract
[en] The position-resolving detector consists of n-Si as a semiconductor foundation. It is of flat shape and has strips of rectifying or barrier-free electrodes on both flat sides. They run parallel on each flat side. From one side to the other, however, they intersect each other, forming detector regions bying in the intersections. The rectifying electrodes are produced by means of planar technique and designed as diffused barrier-layer electrodes. For this purpose, B was used as p-doping material. Their p-n transitions remain covered by an oxide film. The flat side for the barrier-free electrodes is at first etched thin, and only then the aluminium electrodes are evaporated. The detector needs no special cooling at higher temperatures. (DG) 891 HP
[de]
Der Ortsaufloesende Detektor besteht aus n-Si als Halbleitergrundkoerper. Er ist flach ausgebildet und weist auf beiden Flachseiten Streifen aus gleichrichtenden bzw. sperrfreien Elektroden auf. Sie verlaufen auf jeder Flachseite parallel zueinander. Von Seite zu Seite jedoch kreuzen sie sich und bilden in den Kreuzungspunkten liegende Detektorbereiche. Die gleichrichtenden Elektroden sind mittels der Planartechnik hergestellt und als Sperrschichtelektroden ausgebildet. Hierzu ist B als p-dotierender Stoff benutzt worden. Ihre pn-Uebergaenge bleiben mit einer Oxidschicht abgedeckt. Die Flachseite fuer die sperrfreien Elektroden wird zuerst duenngeaezt und dann erst die Elektroden aus Aluminium aufgedampft. Der Detektor benoetigt keine besondere Kuehlung bei hoeheren Temperaturen. (DG)Original Title
Ortsaufloesende Detektoranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
Source
20 Oct 1977; 5 p; DE PATENT DOCUMENT 2235680/C/; Available from Fachinformationszentrum
Record Type
Patent
Country of publication
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INIS IssueINIS Issue