Unter der Grundannahme, dass hauptsaechlich drei Saettigungsprozesse eine Rolle spielen, wurde ein Modell fuer quantitative Analysen von strahlungsinduzierten Eigenschaftsaenderungen des Graphits abgeleitet. Die drei Prozesse laufen im atomaren Bereich ab, doch wird ihr Einfluss auf makroskopische Eigenschaften in einigen Faellen durch Mikrorisse, die sich in der Anfangsphase der Bestrahlung schliessen, abgeschwaecht. Bei der Untersuchung der strahleninduzierten Aenderungen von Eigenschaften mit Hilfe des Modells koennen die grundlegenden Abhaengigkeiten von der Temperatur und der Dosis separiert werden. Der uebrigbleibende phaenomenologische Teil der Information ist dann in den Kopplungskonstanten und ihren Multiplikatoren enthalten, die die Schaltfunktionen darstellen. Die Kopplungskonstanten und die Konstanten, die die Schaltfunktionen beschreiben, sind charakteristisch fuer die Art des Graphits. Die bisher erzielten Ergebnisse lassen keinen Zweifel daran, dass eine Beschreibung der strahleninduzierten Aenderungen der Eigenschaften durch ein theoretisches Modell moeglich ist. (orig./GSC)