Filters
Results 1 - 1 of 1
Results 1 - 1 of 1.
Search took: 0.012 seconds
AbstractAbstract
[en] The method to manufacture silicon carbide with a density of at least 98% of the theoretical and a breaking strength of at least 35 kp/mm2 firstly makes use of known methods to produce the green preform. The latter is then weakly sintered at temperatures of 1650 to 19700C - preferably in nitrogen-free atmosphere or in vacuum -, whereby it is partly condensed. The preform is worked to the desired sizes and is then finally sintered and condensed in relatively inert atmosphere at 1850-21500C. The combination of the method to produce the green mould and the final sintered body leads to such condensation thates only shrink by an extraordinary small extent during the final burning. The grain size of the material used is of most importance for the success of the method. The silicon carbide can consist of two grain fractions whereby at least 50 wt.% have a grain size of < 3 μm and the coarse fraction preferably varying between 30 and 170 μm. The initial mixture may contain 1 to 15 wt.% boron, aluminium and/or silicon or up to 5 wt.% aluminium oxide with an average grain size of < 5μm. A variant of the process starts with a mixture of 60-95 wt.% silicon carbide of a medium grain size < 3 μm and 3-40 wt.% carbon and/or cokable material which is partly condensed and sintered under the influence of simultaneous heat, then is worked to the final dimensions and is reaction sintered with silicon and heat. Complicated shaped moulds may also be produced according to the invention. (IHOE)
[de]
Das Verfahren fuer die Herstellung von Siliziumkarbid mit einer Dichte von zumindest 98% der Theorie und einer Bruchfestigkeit von minimal 35 kp/mm2 bedient sich zunaechst bekannter Methoden zur Herstellung der gruenen Vorform. Diese wird dann schwach gesintert bei Temperaturen von 1650 bis 19700C - vorzugsweise in stickstofffreier Atm. oder im Vakuum -, wodurch sie teilweise verdichtet wird. Die Vorform wird auf die gewuenschten Dimensionen bearbeitet und dann im relativen inerter Atmosphaere bei 1850-21500C fertiggesintert und verdichtet. Die Kombination des Verfahrens zur Herstellung des gruenen Formkoerpers und des Fertigsinterns fuehrt zu einer solchen Verdichtung, dass beim letzten Brennen der Gegenstaende es nur zu ausserordentlich geringem Schrumpfen kommt. Fuer den Erfolg des Verfahrens ist die Korngroesse des Einsatzmaterials von groesster Wichtigkeit. Das Siliziumkarbid kann aus zwei Kornfraktionen bestehen, wobei zumindestens 50 Gew.-% eine Korngroesse von < 3 μm besitzen und die Grobfraktion vorzugsweise zwischen 30 und 170 μm variieren kann. Die Ausgangsmischung kann 1 bis 15 Gew.-% Bor, Aluminium, und/oder Silizium oder bis zu 5 Gew.-% Aluminiumoxid mit einer durchschnittlichen Korngroesse von < 5 μm enthalten. Eine Verfahrensvariante geht von einer Mischung aus 60-95 Gew.-% Siliziumkarbid einer mittleren Korngroesse < 3 μm und 5-40 Gew-.% Kohlenstoff und/oder einem verkokbaren Material aus, wobei unter gleichzeitiger Einwirkung von Waerme und Druck teilweise verdichtet und leicht gesintert wird, dann auf Endmasse bearbeitet und unter Einwirkung von Silizium in der Waerme reaktionsgesintert wird. Nach der Erfindung lassen sich Formkoerper auch sehr komplizierter Gestalt herstellen. (IHOE)Original Title
Siliciumcarbidformkoerper hoher Dichte und Verfahren zu deren Herstellung
Primary Subject
Source
20 May 1976; 11 p; DE PATENT DOCUMENT 2549637/A/
Record Type
Patent
Country of publication
Reference NumberReference Number
INIS VolumeINIS Volume
INIS IssueINIS Issue