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AbstractAbstract
[en] A new non-destructive technique for the determination of radiation damage in-depth profile in silicon after ion implantation is developed. The locally enhanced generation rate according to the SRH-theory of the deep depleted MOS diode as an image of radiation damage is used. It is evaluated by the measurement of the C(V) pulse capacitance and hf pulse capacitance transient response C(t). Results of high and low energy experiments with Hsub(e)+, P+ and O+ are reported. Furthermore, in the case of Hsub(e)+, the deep trap evolution influenced by the Si/SiO2 interface is examined. (orig.)
[de]
Eine neue zerstoerungsfreie Methode zur Bestimmung des tiefenaufgeloesten Strahlenschadenprofils wird erarbeitet. Als sein Abbild dient die lokal erhoehte Generationsrate gemaess der SRH-Theorie der in die tiefe Verarmung gepulsten MOS-Diode. Berechnet wird es aus der gemessenen C(V)-Pulskapazitaet und der transienten Pulskapazitaet C(t). Es werden die Ergebnisse von hoch- und niederenergetischen Hsub(e)+, P+, O+-Implantationen vorgestellt. Im Fall der Hsub(e)+-Implantation wird der Einfluss der Si/SiO2-Phasengrenze auf die tiefen Zentren untersucht. (orig.)Original Title
Untersuchung des tiefenaufgeloesten Strahlenschadenprofils in Silizium nach Ioenenimplantation mit Hilfe der MOS-Struktur
Secondary Subject
Source
Dec 1980; 124 p; Diss.
Record Type
Report
Literature Type
Thesis/Dissertation
Report Number
Country of publication
CARRIER DENSITY, DEPTH, ENERGY LEVELS, HELIUM IONS, INTERFACES, ION IMPLANTATION, MEASURING METHODS, MOS TRANSISTORS, NONDESTRUCTIVE TESTING, N-TYPE CONDUCTORS, OXYGEN IONS, PHOSPHORUS IONS, PHYSICAL RADIATION EFFECTS, P-TYPE CONDUCTORS, SEMICONDUCTOR DIODES, SILICON, SILICON OXIDES, TRAPPING, VARIABLE CAPACITANCE DIODES
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