Channeling in GaAs

Garofalo, F.; Mazzone, A.M.

Filters

Results 1 - 1 of 1

Results 1 - 1 of 1. Search took: 0.026 seconds

META

Channeling in GaAs

Garofalo, F.; Mazzone, A.M.1986

Citation
Export

AbstractAbstract

[en] Depth profiles of light and heavy ions in a simplified GaAs lattice are calculated with a Monte Carlo method. In the simulation, similarly to the standard practice in ion implantation, the sample is tilted and rotated. Remarkable effects on the ion profiles are found to arise from the target orientation. (author)

Primary Subject

CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY (A1330)

Record Type

Journal Article

Journal

Physica Status Solidi. A, Applied Research; ISSN 0031-8965;

; CODEN PSSAB; v. 98(2); p. 517-520

Country of publication

German Democratic Republic

Descriptors (DEI)

ATOMIC NUMBER, DEPTH, GALLIUM ARSENIDES, INTERNAL CONVERSION RADIOISOTO, ION BEAM TARGETS, ION BEAMS, ION CHANNELING, ION IMPLANTATION, KEV RANGE 10-100, MONTE CARLO METHOD, ORIENTATION, SELENIUM 79, SILICON 28 BEAMS, SPATIAL DISTRIBUTION, TIN 119

Reference NumberReference Number

18033817

INIS VolumeINIS Volume

INIS IssueINIS Issue

À	Á	Â	Ã	Ä	Å	Ā	Æ
Ç	È	É	Ê	Ë	Ē	Ì	Í
Î	Ï	Ī	Ð	Ñ	Ò	Ó	Ô
Õ	Ö	Ø	Ō	Œ	Š	Ù	Ú
Û	Ü	Ū	Ý	Ÿ	Ȳ	Þ	à
á	â	ã	ä	å	ā	æ	ç
è	é	ê	ë	ē	ì	í	î
ï	ī	ð	ñ	ò	ó	ô	õ
ö	ø	ō	œ	š	ù	ú	û
ü	ū	ý	þ	ÿ	ȳ	Č	č
Ď	ď	ě	Ĺ	ľ	Ň	ň	Ř
ř	Ť	ť	ů	Ž	ž

À	Á	Â	Ã	Ä	Å	Ā	Æ
Ç	È	É	Ê	Ë	Ē	Ì	Í
Î	Ï	Ī	Ð	Ñ	Ò	Ó	Ô
Õ	Ö	Ø	Ō	Œ	Š	Ù	Ú
Û	Ü	Ū	Ý	Ÿ	Ȳ	Þ	à
á	â	ã	ä	å	ā	æ	ç
è	é	ê	ë	ē	ì	í	î
ï	ī	ð	ñ	ò	ó	ô	õ
ö	ø	ō	œ	š	ù	ú	û
ü	ū	ý	þ	ÿ	ȳ	Č	č
Ď	ď	ě	Ĺ	ľ	Ň	ň	Ř
ř	Ť	ť	ů	Ž	ž

À	Á	Â	Ã	Ä	Å	Ā	Æ
Ç	È	É	Ê	Ë	Ē	Ì	Í
Î	Ï	Ī	Ð	Ñ	Ò	Ó	Ô
Õ	Ö	Ø	Ō	Œ	Š	Ù	Ú
Û	Ü	Ū	Ý	Ÿ	Ȳ	Þ	à
á	â	ã	ä	å	ā	æ	ç
è	é	ê	ë	ē	ì	í	î
ï	ī	ð	ñ	ò	ó	ô	õ
ö	ø	ō	œ	š	ù	ú	û
ü	ū	ý	þ	ÿ	ȳ	Č	č
Ď	ď	ě	Ĺ	ľ	Ň	ň	Ř
ř	Ť	ť	ů	Ž	ž

À	Á	Â	Ã	Ä	Å	Ā	Æ
Ç	È	É	Ê	Ë	Ē	Ì	Í
Î	Ï	Ī	Ð	Ñ	Ò	Ó	Ô
Õ	Ö	Ø	Ō	Œ	Š	Ù	Ú
Û	Ü	Ū	Ý	Ÿ	Ȳ	Þ	à
á	â	ã	ä	å	ā	æ	ç
è	é	ê	ë	ē	ì	í	î
ï	ī	ð	ñ	ò	ó	ô	õ
ö	ø	ō	œ	š	ù	ú	û
ü	ū	ý	þ	ÿ	ȳ	Č	č
Ď	ď	ě	Ĺ	ľ	Ň	ň	Ř
ř	Ť	ť	ů	Ž	ž