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AbstractAbstract
[en] The growth quality of YBaCuO thin films deposited by sputtering on different substrates (Al2O3, MgO, SrTiO3, Zr(Y)O2) has been studied by X-ray diffraction and channeling experiments as a function of the deposition temperature. Besides the substrate orientation, the substrate temperature is the parameter determining whether films grow in c-, a-, (110) or mixed directions. Epitaxial growth correlates with high critical current values in the films of up to 5.5x106 A/cm2 at 77 K. Ultrathin films with thicknesses down to 2 nm were grown revealing three-dimensional superconducting behaviour. Films on (100) SrTiO3 of 9 nm thickness and below are partially strained indicating commensurate growth. From the analysis of the surface disorder 1 displaced Ba atom per Ba2Y row was obtained indicating that the disordered layer thickness is about 0.6 nm. Tunnel junctions fabricated on these films reveal gap-like structures near ±16 mV and ±30 mV. (orig.)
[de]
Das Verfahren der Magnetron-Kathodenzerstaeubung wurde zur Abscheidung duenner YBaCuO-Schichten auf verschiedenen Substraten (Al2O3, MgO, SrTiO3, Zr(Y)O2) optimiert. Die Wachstumsrichtung und die kristalline Guete der Schichten wurde in Abhaengigkeit von der Substrat-Oberflaechenguete, der Orientierung und Temperatur mittels Ionenchanneling und Roentgendiffraktion untersucht. Der Grad der Epitaxie und die Mosaikverbreiterung bestimmen den kritischen Transportstrom mit Werten bis zu 5.5.106 A/cm2 bei 77 K. Selbst in ultraduennen Schichten mit einer minimalen Dicke von bis zu 2 nm zeigt das supraleitende Verhalten 3-dimensionalen Charakter. Schichten auf (100) SrTiO3 mit Dicken kleiner etwa 9 nm sind teilweise zur Unterlage verspannt, was auf kommensurables Wachstum hinweist. Die Channeling-Analyse der Schichtoberflaeche ergibt in guenstigen Faellen eine Verlagerung von nur 1 Ba-Atom pro Ba2Y-Kette, was einer maximalen Dicke der gestoerten Oberflaeche von etwa 0.6 nm entspricht. Auf diesen Schichten praeparierte Tunneldioden zeigen Strukturen mit einer Energieluecke in der Naehe von ±16mV und ±30mV. (orig.)Primary Subject
Source
Aug 1989; 99 p
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