In der aktuellen analytischen Chemie ist die kontinuierliche Ueberwachung eines zu untersuchenden Systems von wachsender Bedeutung. Diese kann durch elektrochemische Sensoren realisiert werden, wobei neben den ionenselektiven Elektroden (ISE) auch Feldeffektstrukturen zur Messwerterfassung eingesetzt werden koennen. Beiden Systemen gemeinsam ist die sensitive Membran, die in der vorliegenden Arbeit aus Silberiodid (AgI) besteht. Fuer die Membranpraeparation wird als halbleitertechnologie-kompatibler Prozess die Ionenstrahlsynthese gewaehlt, mit der die Herstellung miniaturisierbarer Duennschichtmembranen ermoeglicht wird. Durch geeignete Wahl der Substrate koennen mit dieser Herstellungsmethode ionenselektive Elektroden oder kapazitive Sensoren hergestellt werden. Ziel bei der Ionenstrahlsynthese sensitiver Membran auf kapazitiven Strukturen ist primaer das Einstellen des stoechiometrischen Verhaeltnisses von Silber und Iod. Mittels Implantationen durch unterschiedliche Deckschichten kann dies gut angenaehert, durch Molekuelionenimplantation aber exakt erreicht werden. Durch die waehrend der Praeparation in das Substrat induzierten Strahlenschaeden wird die Aufnahme auswertbarer Messkurven verhindert. Diese Strahlenschaeden konnten mit den im Rahmen dieser Arbeit zur Verfuegung stehenden Methoden nicht vollstaendig beseitigt werden. Bei der Praeparation der sensitiven Membran auf Silber gelang es durch die Optimierung der Praeparationsbedingungen, den in Konkurrenz zur Implantation auftretenden Sputterabtrag zu begrenzen und somit die Ausbildung der Membran auf einer Silber-Duennschicht zu realisieren. Zur Bestimmung der Gesamtmenge an implantierten Ionen sowie deren Verteilung wurde Rutherford backscattering spectroscopy (RBS) eingesetzt. Diese auf Silbersubstraten hergestellten Membranen zeigen, vergleichbar mit der ionenselektiven Elektrode, eine nahezu Nernst'sche Sensitivitaet, grosse Selektivitaet und eine hohe Langzeit-Stabilitaet. (orig./MM)