Filters
Results 1 - 1 of 1
Results 1 - 1 of 1.
Search took: 0.018 seconds
[en] The introduction of centers of generation of charge carriers in pure Si is analyzed in the frame of the interaction of nonequilibrium defects and charge carriers just an ion track. The experiment with 1-5 MeV alpha particles is completed by results of the computerized simulation of their stopping in Si. It is shown that the primary defects, appearing in the track end, generate smaller the number of generation centers. It is explained by the capture by the Frenkel pair components of charge carriers. The charge exchanging of vacancies and interstitial atoms accelerates the recombination and decreases the number of primary defects
[ru]
Прослежено за введением центров генерации носителей тока в чистом Si в идеологии взаимодействия неравновесных дефектов и носителей тока непосредственно в треке иона. Эксперимент на альфа-частицах с энергией 1-5 МэВ дополнен результатами численного моделирования их торможения в Si. Показано, что первичные дефекты, возникшие в конце трека, образуют меньшее число генерационных центров. Это объясняется захватом компонентами пар Френкеля носителей тока. Происходящая перезарядка вакансий и межузельных атомов ускоряет и рекомбинацию и снижает число первичных дефектовJournal
