Filters
Results 1 - 1 of 1
Results 1 - 1 of 1.
Search took: 0.019 seconds
[en] The GaAsn/AlAsm superlattices grown by the molecular beam epitaxy technique on GaAs (311)A and (311)B surfaces are studied by Raman spectroscopy technique. The use of Raman selection rules it possible to observe transverse optical (TOx) and (TOy) modes, where x and y are the transversal and the parallel directions to facets on GaAs (311)A surface, respectively. The splitting of the TO modes is observed on the facet surface of (311)A superlattices. Splitting augmentation has been observed for (311)A superlattices, the average thickness of layers being 6 monolayers and thinner. Since the splitting has not been found in superlattices grown on (311)B surface, the splitting effect is supposedly caused by corrugation of GaAs/AlAs (311)A interfaces and formation of GaAs quantum wires on them
[ru]
Сверхрешетки GaAsn/AlAsm, выращенные молекулярно-лучевой эпитаксией на поверхностях GaAs (311)A и (311)В исследованы методом спектроскопии комбинационного рассеяния света. Вид тензора комбинационного рассеяния света позволяет раздельно наблюдать моды (TOx) и (TOy), где оси y и x - направления смещения атомов, направленные вдоль и поперек фасеток на поверхности (311)А. Обнаружено расщепление мод (TO1x) и (TO1y) в сверхрешетках, выращенных на фасетированной поверхности (311)А GaAs. Наблюдалось усиление расщепления для сверхрешеток со средней толщиной слоев GaAs 6 монослоев и менее. Так для сверхрешеток, выращенных в тех же условиях на поверхности (311)В, расщепления не наблюдалось, эффект расщепления можно связать с формированием квантовых проволок GaAs на фасетированной поверхности (311)АJournal
