Filters
Results 1 - 1 of 1
Results 1 - 1 of 1.
Search took: 0.025 seconds
AbstractAbstract
[en] The spectral dependence of the photoconductivity of the Cd1.23Zn1.77As2 material alloyed with selenium up to 1 mass % at different temperatures is studied. It is shown that photogalvanic peak is present in the photoconductivity spectra of these solid solutions within the temperature range of 79-130 K. The values of the forbidden zone width (at 0 K) and temperature coefficient of its change are determined by the temperature shift of the photoconductivity long-wave edge. The residual conductivity (RC) in the Cd1.23Zn1.77As2 system is studied. The nonuniformities in the material volume play significant role in the RC appearance beside the surface nonuniformities
[ru]
Исследована спектральная зависимость фотопроводимости (ФП) материала состава Cd1.23Zn1.77As2, легированного селеном до 1 масс. %, при различных температурах. Показано, что в спектрах фотопроводимости этих твердых растворов, в интервале температур 79-130 К присутствует фотогальванический пик. По температурному сдвигу длинноволнового края фотопроводимости определены значения ширины запрещенной зоны (при 0 К) и температурного коэффициента ее изменения. Исследована остаточная проводимость (ОП) в Cd1.23Zn1.77As2. Кроме поверхностных неоднородностей, в появлении ОП существенную роль играют неоднородности в объеме материалаOriginal Title
Fotoehlektricheskie yavleniya v kristallakh Cd1.23Zn1.77As2, legirovannogo selenom
Primary Subject
Source
14 refs., 2 figs.
Record Type
Journal Article
Journal
Country of publication
Reference NumberReference Number
INIS VolumeINIS Volume
INIS IssueINIS Issue