Filters
Results 1 - 1 of 1
Results 1 - 1 of 1.
Search took: 0.017 seconds
[en] The epitaxial Ge0.2Si0.8/Si [111] targets (x = 0.23) has been exposed to thermal implantation treatment by Si+ ion beam (200 keV) with the goal to find of the conditions of the strain relaxation without dislocations. The study of thermally implanted targets by methods of He+ ion beam channeling shown that the dislocation mechanism suppression are realized for the pseudomorphic film 100 nm thick at the dose of 6 · 1013 ion/cm2 and target temperature in implantation procedure of 230 Deg C
[ru]
С целью поиска условий подавления дислокационного механизма релаксации упругих напряжений в эпитаксиальной структуре Ge0.2Si0.8/Si [111] мишени (х = 0.23) подвергались термоимплантационной обработке пучком ионов Si+ с энергией 200 кэВ. Изучение проимплантированных мишеней методом каналирования ионов Не+ показало, что его подавление реализуется при дозе 6 · 1013 ион/см2 и температуре мишени 230 град С для пленок толщиной 100 нмJournal
Poverkhnost'. Rentgenovskie, Sinkhrotronnye i Nejtronnye Issledovaniya; ISSN 1028-0960; 
; (no.5); p. 93-101
; (no.5); p. 93-101