Filters
Results 1 - 1 of 1
Results 1 - 1 of 1.
Search took: 0.024 seconds
[en] Effects of atomic hydrogen on the properties of Czochralski-grown single crystal silicon as well as polycrystalline shaped silicon have been investigated. It was established that the buried defect layers created by high-energy hydrogen or helium ion implantation act as a good getter centers for hydrogen atoms introduced in silicon in the process of hydrogen plasma hydrogenation. Atomic hydrogen was shown to be active as a catalyzer significantly enhancing the rate of thermal donors formation in p-type single crystal silicon. This effect can be used for n-p- and p-n-p-silicon based device structures producing
[ru]
Исследовано влияние атомарного водорода на свойства выращенного методом Чохральского монокристаллического и профилированного поликристаллического кремния. Показано, что захороненные разупорядоченные слои, формирующиеся при имплантации высокоэнергетических ионов водорода или гелия, являются эффективными геттерами для водорода, внесенного в кремний в процессе гидрогенизации в водородной плазме. Атомарный водород, действуя как катализатор, может значительно увеличивать скорость формирования термодоноров в монокристаллическом кремнии р-типа, что можно использовать для создания n-p- и p-n-p-структурJournal
