Filters
Results 1 - 1 of 1
Results 1 - 1 of 1.
Search took: 0.015 seconds
[en] The study on the effect of electron and neutron radiation and thermal treatment on the spectral and integral photosensitivity of the p-TlInSe2 semiconductor monocrystals is carried out. The samples were irradiated by the electrons with the energy of 6 and 25 MeV up to the fluence of 1013-1015 cm-2 and by the neutrons with the energy of ≤ 0.1 MeV up to the fluence of 1012-1014 cm-2. The thermal treatment was carried out by seasoning the samples during 24 hours at 413 K under the voltage of 11-14 V with subsequent cooling up to the room temperature. It is established, that the samples spectral photosensitivity increases after thermal treatment. Increase in the TlInSe2 monocrystals photosensitivity by small fluence of both electron and neutron radiation is explained by the structure ordering. Decrease in the photosensitivity by high fluences occurs presumably as the result of forming additional radiation defects, capture and scattering of the charge carriers thereon
[ru]
Проведено исследование влияния электронного и нейтронного облучения, а также термической обработки на спектральную и интегральную фоточувствительность полупроводниковых монокристаллов p-TlInSe2. Образцы облучали электронами энергией 6 и 25 МэВ до флюенса 1013-1015 см-2 и нейтронами энергией ≤ 0,1 МэВ до флюенса 1012-1014 см-2. Термообработку осуществляли выдержкой образцов в течение 24 ч при 413 К под напряжением 11-14 В с последующим медленным охлаждением до комнатной температуры. Установлено, что после термообработки спектральная фоточувствительность образцов увеличивается. Увеличение фоточувствительности кристаллов TlInSe2 при малом флюенсе облучения как электронами, так и нейтронами объясняется упорядочением структуры. Снижение фоточувствительности при больших флюенсах происходит, предположительно, в результате образования дополнительных радиационных дефектов, захватом и рассеянием на них носителей зарядовJournal
