Filters
Results 1 - 1 of 1
Results 1 - 1 of 1.
Search took: 0.01 seconds
[en] Shift of Al impurity atom placed in Ni crystal lattice node alternately through first up to eight atomic layers resulted from the normal bombardment of Ni(100) crystal by 100 eV energy Ar ions were simulated as to the molecular - dynamic aspect. The obtained function of shift of impurity atom was used to calculate the layer-by-layer profiles of heterogeneous systems with Al atom low initial concentration in Ni crystal
[ru]
Проведено молекулярно-динамическое моделирование смещений примесного атома Al, расположенного в узле решетки кристалла Ni поочередно с первого по восьмой атомных слоях, вызванных нормальной бомбардировкой кристалла Ni(100) ионами Ar с энергией 100 эВ. Полученная функция перемещений примесного атома была использована для расчетов послойных профилей неоднородных систем с низкой исходной концентрацией атомов Al в кристалле NiJournal
Izvestiya Akademii Nauk. Rossijskaya Akademiya Nauk. Seriya Fizicheskaya; ISSN 1026-3489; 
; CODEN IRAFEO; v. 64(4); p. 709-715
; CODEN IRAFEO; v. 64(4); p. 709-715