Filters
Results 1 - 1 of 1
Results 1 - 1 of 1.
Search took: 0.016 seconds
[en] The Raman light scattering on the optical phonons in the nonstressed Ge quantum dots, obtained in the GaAs/ZnSe/Ge/ZnSe structures is studied through the molecular-beam epitaxy. The E1, E1 + Δ1 resonance energy shift, connected with quantization of the electron and hole states spectrum in the quantum dots is observed. Application of the simplest localization model with an account of the Ge electron states spectrum made it possible to explain the observed peculiarities
[ru]
Исследовано рамановское рассеяние света на оптических фононах в ненапряженных квантовых точках Ge, полученных в GaAs/ZnSe/Ge/ZnSe структурах с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии. Наблюдался сдвиг энергии E1, E1 + Δ1 резонанса, связанный с квантованием спектра электронных и дырочных состояний в квантовых точках. Применение простейшей модели локализации с учетом спектра электронных состояний Ge позволило объяснить наблюдаемые особенностиJournal
Pis'ma v Zhurnal Ehksperimental'noj i Teoreticheskoj Fiziki; ISSN 0370-274X; 
; CODEN PZETAB; v. 73(5-6); p. 337-341
; CODEN PZETAB; v. 73(5-6); p. 337-341