Filters
Results 1 - 1 of 1
Results 1 - 1 of 1.
Search took: 0.018 seconds
[en] Results of experimental investigation of the transport phenomena in PbTe and Pb1-xSnxTe solid solutions with high contents of In impurity (up to 20 at %) at temperatures up to 400 K have been considered. An analysis of the experimental data has been made on the base of an idea of hopping conductivity via highly localized impurity states creates by indium atoms. The temperature dependences of transport coefficients unusual for the IV-VI-type semiconductors, the change of sing of the thermoelectromotive force at negative Hall coefficient, the positive Nernst-Ettingshausen coefficient are explained. The activation energy of the hoping conductivity, characterizing discrepancy between impurity energy levels the effective wave function radius and the density of localized states as the energy function are found experimentally
[ru]
Рассматриваются результаты экспериментального исследования явлений переноса в PbTe и твердых растворах Pb1-xSnxTe с большим содержанием примесей In (до 20 ат %) при температурах до 400 К. Анализ экспериментальных данных производится на основе представления о прыжковой проводимости по сильно локализованным примесным состояниям, созданным атомами индия. Объяснены необычные для полупроводников типа AIVBVI температурные зависимости кинетических коэффициентов, изменение знака термоэдс при отрицательном коэффициенте Холла, положительный коэффициент Нернста-Эттингсгаузена. Из экспериментальных данных определены энергия активации прыжковой проводимости, характеризующая эффективный разброс примесных энергетических уровней, эффективный радиус волновой функции и плотность локализованных состояний как функция энергииJournal
