Filters
Results 1 - 1 of 1
Results 1 - 1 of 1.
Search took: 0.017 seconds
[en] Electric conductivity and the Hall effect within the 4.2-125 K temperature range have been investigated in p-Hg0.78Cd0.22Te crystals, containing 3 x 1016 cm-3 of copper impurities and 1.83 x 1016 cm-3 of mercury vacancies (together or separately). The ε1-conductivity due to free holes above 10-12 K and the hopping conductivity below 8-10 K are dominant in such crystals respectively. It was found that the ε1-conductivity in copper-doped crystals is independent of the vacancy presence, while the hopping conductivity essentially increases due to the vacancy availability. This phenomenon is explained in terms hole joining neutral mercury vacancies.The binding energy is calculated; it equal 3.7 meV in background state
[ru]
Исследованы проводимость и эффект Холла при Т = 4.2-125 К в кристаллах p-Hg0.78Cd0.22Te, содержащих 3 х 1016 см-3 примеси меди и 1.83 х 1016 см-3 вакансий Hg (одновременно или же раздельно друг от друга). В таких кристаллах выше 10-12 К доминирует ε1-проводимость по валентной зоне, а ниже 8-10 К - прыжковая проводимость. Обнаружено, что ε1-проводимость легированных медью кристаллов не зависит от присутствия вакансий, тогда как прыжковая проводимость существенно увеличивается при введении их в легированный кристалл. Это явление объяснено присоединением дырок нейтральными вакансиями ртути. Выполнен расчет энергии присоединения и найдено, что в основном состоянии она равна 3.7 мэВJournal
