Filters
Results 1 - 1 of 1
Results 1 - 1 of 1.
Search took: 0.021 seconds
AbstractAbstract
[en] Effect of doping with gallium and fast electron irradiation on the galvanomagnetic properties of n-Pb1-xGexTe< Ga> (0.04 ≤ x ≤ 0.06) alloys is investigated. The transformations the metal-type conductivity are obtained both by increasing the impurity content and under the electron irradiation. The conclusion has been drawn that Fermi level pinning by the impurity level does not take place while the doping with gallium as well as the electron irradiation may serve as effective mutually complementary tools for modifying of electrical properties of alloys
[ru]
Исследовано влияние легирования галлием и облучения быстрыми электронами на гальваномагнитные эффекты в n-Pb1-xGexTe< Ga> (0.04 ≤ x ≤ 0.06). Обнаружены переходы к металлическому типу проводимости как при увеличении содержания примеси, так и под действием облучения. Сделан вывод об отсутствии стабилизации уровня Ферми уровнем примеси и показано, что легирование галлием и электронное облучение являются эффективными взаимодополняющими средствами управления электрофизическими параметрами сплавовOriginal Title
O stabilizatsii urovnya Fermi v splavakh na osnove tellurida svintsa, legirovannykh galliem
Source
12 refs., 3 figs., 1 tab.
Record Type
Journal Article
Journal
Country of publication
Reference NumberReference Number
INIS VolumeINIS Volume
INIS IssueINIS Issue