Filters
Results 1 - 1 of 1
Results 1 - 1 of 1.
Search took: 0.016 seconds
[en] A kinetic model of charge carrier transport in nanosize periodical Si/CaF2 structures via localized states in dielectric is proposed. Computer simulation of the current-voltage characteristics of such structures has shown that the built-in field arises in a dielectric due to polarization of the trapped charge by localized centers. This results in current hysteresis and negative differential resistance region at the current-voltage characteristics when the bias polarity is changed. At temperature below 250 K, the portion of negative differential resistance vanishes
[ru]
Предложена кинетическая модель переноса носителей заряда в периодических наноразмерных структурах Si/CaF2 по локализованным состояниям в диэлектрике. С помощью компьютерного моделирования показано, что возникновение встроенного электрического поля в диэлектрике в результате поляризации захваченного локализованными центрами заряда объясняют гистерезис вольт-амперных характеристик при смене полярности приложенного внешнего напряжения и приводят к появлению участка отрицательного дифференциального сопротивления на этих характеристиках. При температуре ниже 250 К участок отрицательного дифференциального сопротивления исчезаетJournal
