Filters
Results 1 - 1 of 1
Results 1 - 1 of 1.
Search took: 0.016 seconds
[en] It has been established that the implantation of ytterbium ions into silicon at the energy of 1 MeV and the dose of 1013 cm-2, and post-implanted annealing over the temperature range 600-1100 deg C result in formation of donor centers. The donor center concentration is higher in samples that were additionally implanted with oxygen ions. It has been shown that there are at least two types of donor centers associated with ytterbium and oxygen atoms. The dependence of the electron mobility on the electrically active center concentration is found for concentrations between 7 x 1015 - 1 x 1017 cm-3 in silicon layers implanted with ytterbium ions
[ru]
Установлено, что имплантация ионов иттербия с энергией 1 МэВ и дозой 1013 см-2 в кремний и постимплантационный отжиг при температурах 600-1100 град С приводят к образованию донорных центров. Концентрация донорных центров выше в образцах, дополнительно имплантированных ионами кислорода. Результаты указывают, что происходит образование по крайней мере двух типов донорных центров, обусловленных примесными атомами иттербия и кислорода. Определена зависимость подвижности электронов от концентрации электрически активных центров в слоях кремния, имплантированных ионами иттербия, в диапазоне концентраций 7 x 1015 - 1017 см-3Journal
