Filters
Results 1 - 1 of 1
Results 1 - 1 of 1.
Search took: 0.019 seconds
[en] Electroluminescence in quantum-cascade structure consisting of 40 periods of GaAs /Al0.15Ga0.85As tunneling bound quantum well has been investigated. A radiative band in the range 1.0-1.8 THz is found under 1.5-2.0 V bias. The maximum position moves to high frequencies as voltage increases. The effect can be explained by spatially indirect electron transitions between neighbour quantum wells
[ru]
Исследовалась электролюминесценция квантово-каскадной структуры, состоящей из 40 периодов туннельно-связанных квантовых ям GaAs /Al0.15Ga0.85As. При напряжении смещения свыше 1.5-2.0 В наблюдалась полоса терагерцового излучения в области 1.0-1.8 ТГц. Положение максимума полосы линейно сдвигается в высокочастотную область с ростом напряжения на структуре. Эффект объяснен пространственно непрямыми переходами электронов между состояниями в соседних квантовых ямахJournal
