Filters
Results 1 - 1 of 1
Results 1 - 1 of 1.
Search took: 0.014 seconds
[en] The morphology of silicon-on-sapphire epitaxial layer surface after pulse irradiation by the X-rays with the energy of ≤ 140 keV is studied. The study on the irradiated material surface is carried out by the methods of the atomic force microscopy and ellipsometry. The average roughness value after irradiation constitutes 7 nm. The change in the films surface microrelief occurs due to reconstruction of their dislocation structure under the action of elastic waves, originating in the X radiation
[ru]
Исследуется морфология поверхности гетероэпитаксиальных пленок кремния на сапфире после импульсного облучения рентгеновскими лучами с энергией ≤ 140 кэВ. Изучение поверхности облученного материала проведено с помощью методов атомной силовой микроскопии и эллипсометрии. После облучения среднее значение шероховатости составляет 7 нм. Изменение микрорельефа поверхности пленок происходит вследствие перестройки их дислокационной структуры под действием упругих волн, возникающих в результате рентгеновского облученияJournal
