Filters
Results 1 - 1 of 1
Results 1 - 1 of 1.
Search took: 0.018 seconds
AbstractAbstract
[en] In GaN pseudoamorphous films doped by Er and codoped by oxygen one detected high-intensive photoluminescence of Er3+ ions at λ 1510-1535 nm wave length under irradiation by nitrogen laser (λ = 327 nm). Erbium ions are excited just via energy transfer of band-edge and intraband recombination. Broadening of Er3+ ion spectrum due to essential contribution of hot transitions from 4I13/2 multiplet stark components is the fundamental feature of the mentioned spectrum. Under liquid nitrogen temperature this contribution is the domain one. Under 77 K within 1550-1570 nm range one observed instability of spectrum manifesting itself in the form of optical noise. Temperature suppression of photoluminescence was not practically observed. High intensity of Er3+ photoluminescence was attained due to selection of multistage annealing condition
[ru]
В псевдоаморфных пленках GaN, допированных Er и кодопированных кислородом, обнаружена высокоинтенсивная фотолюминесценция ионов Er3+ на длине волны λ = 1510-1535 нм при облучении азотным лазером (λ=327 нм). Возбуждение ионов эрбия происходит только через передачу энергии межзонной и внутризонной рекомбинации. Принципиальной особенностью спектра ионов Er3+ является его уширение за счет значительного вклада горячих переходов со штарковских компонент мультиплета 4I13/2. При температуре жидкого азота этот вклад является доминирующим. При 77 К в области 1550-1570 нм наблюдалась неустойчивость спектра, проявляющаяся в виде оптического шума. Температурное гашение фотолюминесценции практически отсутствовало. Высокая интенсивность фотолюминесценции Er3+ достигнута в результате подбора режима многоступенчатого отжигаOriginal Title
Osobennosti sverkh''yarkoj fotolyuminestsentsii ionov Er3+ v psevdoamorfnykh tonkikh plenkakh GaN
Source
22 refs., 5 figs.
Record Type
Journal Article
Journal
Country of publication
Reference NumberReference Number
INIS VolumeINIS Volume
INIS IssueINIS Issue