Filters
Results 1 - 1 of 1
Results 1 - 1 of 1.
Search took: 0.013 seconds
[en] One studied effect of irradiation by E = 1.2 MeV energy and Φ = 2 x 1017 cm-2 dose fast electrons on electrical, optical and photoelectrical CdS single-crystals doped by In. On the basis of analysis of the experimental results one makes conclusions about decomposition and, in this case, indium atoms occurring in cation sublattice nodes are knocked out by cadmium atoms. In CdS:In irradiated specimens one detected new centres of slow recombination with occurrence of maximums of photoconductivity optical suppression within λM1 = 0.75 μm and λM2 = 1.03 μm range. It is assumed that complexes containing cadmium vacancies and indium atoms are responsible for recombination new centres
[ru]
Исследовалось влияние облучения быстрыми электронами с энергией Е = 1.2 МэВ и дозой Φ = 2 x 1017 см-2 на электрические, оптические и фотоэлектрические свойства монокристаллов CdS, легированных In. На основе анализа экспериментальных результатов делаются выводы о распаде при облучении пересыщенного раствора In в CdS, при этом атомы индия, находящиеся в узлах катионной подрешетки, выталкиваются междоузельными атомами кадмия. В облученных образцах Cd:In обнаружены новые центры медленной рекомбинации с положением масимумов оптического гашения фотопроводимости в области λM1 = 0.75 мкм и λM2 = 1.03 мкм. Предполагается, что за новые центры рекомбинации ответственны комплексы, в состав которых входят вакансии кадмия и атомы индияJournal
