Filters
Results 1 - 1 of 1
Results 1 - 1 of 1.
Search took: 0.019 seconds
AbstractAbstract
[en] One recorded experimentally heat-induced electron emission in ferroelectric triglycine sulfate (TGS) crystal within temperature range exceeding the Curie point by 10-15 K. One studied cases of q = dT/dt various rates of linear heating of specimens of TGS nominally pure crystal and TGS crystal with chromium impurity. Increase of heating rate is shown to result in increase of emission current density within the whole investigated range of temperatures. Temperature of emission occurrence depends on q rate negligibly. At the same time, temperature of emission disappearance monotonically increases with q growth. At q below 1 K/min it is localized below the Curie point. At q = 4-5 K/min the mentioned temperature reaches 60-65 deg C. In TGS crystal with chromium impurity the temperature of emission occurrence is close to the case of pure TGS. In this case, the range of emission drawing in paraphase here is by about 2 times narrower in contrast to the case of pure TGS heated with the same rate
[ru]
Экспериментально зарегистрирована термостимулированная эмиссия электронов в сегнетоэлектрическом кристалле триглицинсульфата (ТГС) в температурной области, превышающей точку Кюри на 10-15 К. Исследованы случаи различной скорости q = dT/dt линейного нагрева образцов номинально чистого кристалла ТГС и кристалла ТГС с примесью хрома. Показано, что увеличение скорости нагрева приводит к возрастанию плотности эмиссионного тока во всей исследуемой области температур. Температура возникновения эмиссии зависит от скорости q незначительно. В то же время температура исчезновения эмиссии монотонно увеличивается с ростом q. При q меньше 1 К/мин она локализована ниже точки Кюри. При q = 4-5 К/мин указанная температура достигает 60-65 град С. В кристалле ТГС с примесью хрома температура возникновения эмиссии близка к случаю чистого ТГС. При этом интервал затягивания эмиссии в парафазу здесь примерно в 2 раза меньше, чем для случая чистого ТГС, нагреваемого с той же скоростьюOriginal Title
Termostimulirovannaya ehmissiya ehlektronov v paraehlektricheskoj faze kristalla triglitsinsul'fata, nagrevaemogo s bol'shoj skorost'yu
Source
5 refs., 4 figs.
Record Type
Journal Article
Journal
Country of publication
Reference NumberReference Number
INIS VolumeINIS Volume
INIS IssueINIS Issue