Filters
Results 1 - 1 of 1
Results 1 - 1 of 1.
Search took: 0.018 seconds
[en] The conductivity of the quantum dots layers is studied in the InAs/GaAs structures within the temperature range of 300 up to 0.05 K in darkness and by different illuminating modes in the magnetic fields up to 6 T. Depending on the current carriers initial concentration the conductivity of the studied structures varied from the metallic one (whereby the Shubnikov-de Haas effect was observed) up to the jump-like one. The conductivity of the samples by illumination with the wavelength λ = 791 nm and λ > 1120 nm is studied. The positive frozen photoconductivity was observed in all the samples at the temperature of T < 250 K. The above structures were studied also by the photoluminescence and nuclear power microscope
[ru]
Исследована проводимость слоев квантовых точек в структурах InAs/GaAs в диапазоне температур от 300 до 0.05 К в темноте и при различных режимах подсветки в магнитных полях до 6 Тл. В зависимости от исходной концентрации носителей тока проводимость структур варьировалась от металлической (наблюдался эффект Шубникова-де Гааза) до прыжковой. Исследована проводимость образцов при освещении с длиной волны λ = 791 нм и λ > 1120 нм. Во всех образцах при температуре Т < 250 K наблюдалась положительная замороженная фотопроводимость. Структуры исследовались также с помощью фотолюминесценции и атомного силового микроскопаJournal
Zhurnal Ehksperimental'noj i Teoreticheskoj Fiziki; ISSN 0044-4510; 
; CODEN ZETFA7; v. 120(4); p. 933-944
; CODEN ZETFA7; v. 120(4); p. 933-944