Filters
Results 1 - 1 of 1
Results 1 - 1 of 1.
Search took: 0.025 seconds
Taldenkov, A.N.; Inyushkin, A.V.; Ozhogin, V.I.; Itoh, K.M.; Haller, E.E.
4. All-Russian (international) scientific conference. Physicochemical processes during selection of atoms and molecules. Collection of reports1999
4. All-Russian (international) scientific conference. Physicochemical processes during selection of atoms and molecules. Collection of reports1999
AbstractAbstract
[en] The measurements of thermoelectromotive force of the Ge crystals with three different isotopic compositions - natural, enriched up to 96.6 % and 99.99 % by the 70Ge isotope are given. The high pure n- and p-Ge monocrystals with the residual concentration of the impurities /Nd-Na/ < 1014 cm-3 was used. Obtained experimental data for the 10 - 300 K temperature range strongly reveals increasing thermoelectromotive force with the reduction of the isotopic disorder degree that corresponds qualitatively with theoretical views. The observed effect appears in the field of lower than 70 K, where thermoelectromotive force is determined by the phonon carrying effect. In the field of high temperatures the diffusion component of the thermoelectromotive force depending on the alloying and zone parameters of the semiconductor prevails, and the correlation with the isotopic composition is not observed
[ru]
Проведены измерения термоэдс кристаллов Ge с тремя различными изотопическими составами - природный, обогащенный до 96.6 % и 99.99 % по изотопу 70Ge. Использовались монокристаллы высокочистого n- и p-Ge с остаточной концентрацией примесей /Nd-Na/ < 1014 cм-3. Полученные экспериментальные данные для диапазона температур 10 - 300 K убедительно демонстрируют увеличение термоэдс с уменьшением степени изотопического беспорядка, что качественно совпадает с теоретическими представлениями. Наблюдаемый эффект проявляется в области темеператур ниже 70 К, где термоэдс определяется эффектом фононного увлечения. В области высоких температур доминирует диффузионная компонента термоэдс, зависящая от степени легирования и зонных параметров полупроводника, и корреляции с изотопическим составом не наблюдаетсяOriginal Title
Vliyanie izotopicheskogo besporyadka na ehffekt fononnogo uvlecheniya v Ge
Primary Subject
Source
Baranov, V.Yu.; Kolesnikov, Yu.A. (eds.); Rossijskij Nauchnyj Tsentr Kurchatovskij Inst., Moscow (Russian Federation); Gosudarstvennyj Nauchnyj Tsentr Rossijskoj Federatsii Troitskij Inst. Innovatsionnykh i Termoyadernykh Issledovanij, Troitsk (Russian Federation); 271 p; 1999; p. 243-245; 4. All-Russian (international) scientific conference. Physicochemical processes during selection of atoms and molecules; 4. Vserossijskaya (mezhdunarodnaya) nauchnaya konferentsiya. Fiziko-khimicheskie protsessy pri selektsii atomov i molekul; Zvenigorod (Russian Federation); 4-8 Oct 1999; 7 refs.; 1 tab.; 2 figs.
Record Type
Miscellaneous
Literature Type
Conference
Report Number
Country of publication
Reference NumberReference Number
Related RecordRelated Record
INIS VolumeINIS Volume
INIS IssueINIS Issue