Filters
Results 1 - 1 of 1
Results 1 - 1 of 1.
Search took: 0.018 seconds
[en] An investigation of the influence of surface treatment on basic exciton characteristics in the sub-surface region of the semiconductor (for GaAs) and spatial distribution of the basic exciton characteristics (for CdS) is carried out. On the grounds of an analysis of the experimental data, it has been shown that deposition of dielectric layers with smaller permittivity on the semiconductor surface leads to the enhancement of the exciton-photon coupling and to the exciton binding energy rise. Occurrence on surface of a defect-enriched layer, of which the imperfection increases after certain surface treatments, results in decrease of the exciton binding energy alongside with the exciton-phonon coupling factor
[ru]
Исследовано влияние поверхностных обработок на основные характеристики экситонов в приповерхностной области полупроводника (на примере GaAs), а также пространственное распределение основных характеристик экситонов (на примере CdS). На основании анализа экспериментальных данных показано, что нанесение на поверхность полупроводника диэлектрических слоев с меньшей диэлектрической проницаемостью приводит к усилению степени экситон-фононного взаимодействия и увеличению энергии связи экситона. Возникновение на поверхности слоя с повышенной дефектностью, степень которой увеличивается после определенных поверхностных обработок, дает в результате снижение энергии связи экситона в приповерхностной области, а также уменьшение фактора экситон-фононного взаимодействияJournal
