Filters
Results 1 - 1 of 1
Results 1 - 1 of 1.
Search took: 0.016 seconds
[en] An experimental study of excitonic recombination in δ-doped GaAs/AlAs type-II superlattices has been carried out. t is found that the increase in the impurity density of δ-layers from 2 x 1010 to 7.5 x 1011 cm-2 results in (4-6)-fold decline in the integral superlattice photoluminescence intensity and in a significant decrease of excitonic photoluminescence intensity (70-80 times as much) accompanied by an increase in the exciton radiative recombination rate. It is concluded that built-in electric fields induced by ionized impurities are the principle reason for quenching the impurity photoluminescence
[ru]
Проведено экспериментальное исследование излучательной рекомбинации экситонов в δ-легированных сверхрешетках второго рода GaAs/AlAs. Обнаружено, что при увеличении концентрации примеси в δ-слоях от 2 x 1010 до 7.5 x 1011 см-2 наблюдается уменьшение интегральной интенсивности фотолюминесценции сверхрешеток в 4-6 раз при значительном (до 70-80 раз) падении интенсивности экситонной фотолюминесценции, сопровождаемом ростом темпа излучательной рекомбинации экситонов. Сделан вывод, что основной причиной примесного тушения фотолюминесценции являются индуцированные ионизованными примесями встроенные электрические поля, препятствующие образованию экситоновJournal
