Filters
Results 1 - 1 of 1
Results 1 - 1 of 1.
Search took: 0.018 seconds
[en] The results of investigation of silicon carbide polytypes in strong electrical fields are presented. It is shown that presence of a natural superlattice in silicon carbide polytypes affects the minizone structure in the conduction band, which leads to a number of effects such as the negative differential conduction in the Bloch oscillation regime, electron-phonon resonances, the lower minizone localization, the resonance tunneling between minizones, the monopolar hole impact ionization in wide field region, anomalous hugh breakdown fields with negative temperature dependence of breakdown voltage. It is notices that all numbered above are constituents of the single Wannier-Stark localization process occurring as the averaged value of the electric field from 100 kV/cm to 2900 kV/cm
[ru]
Приведены результаты исследования политипов карбида в сильных электрических полях. Показано, что наличие естественной сверхрешетки в политипах карбида кремния приводит к минизонной структуре зоны проводимости, что вызывает серию эффектов, а именно: отрицательную дифференциальную проводимость в режиме блоховских осцилляций, электрон-фононные резонансы, локализацию нижней минизоны, резонансное туннелирование между минизонами, дырочную монополию ударной ионизации в широкой области полей, аномально высокие поля лавинного пробоя с отрицательной температурной зависимостью напряжения пробоя. Отмечается, что все перечисленное является составной частью единого процесса ванье-штарковской локализации, который возникает по мере возрастания средней величины электрического поля от 100 до 2900 кВ/смJournal
