В слоистых кристаллах GaS, активированных ионом Er³⁺ и парой ионов Ег³⁺ и Yb³⁺, исследована фотолюминесценция при 300 К. При возбуждении ИК-излучением (λ_возб = 976 нм) в GaS:Er³⁺ (0.1 ат. %) и GaS:Er³⁺, Yb³⁺ (0.1 ат. % каждый) наблюдается антистоксова люминесценция, а также увеличение интенсивности излучения, связанные с переходами ⁴I_11/2 → ⁴I_15/2 иона Er³⁺. Показано, что механизмом антистоксовой люминесценции является последовательное поглощение двух фотонов одним ионом Ег³⁺, а увеличение интенсивности излучения Er³⁺ при введении в кристаллы GaS пары Er³⁺ и Yb³⁺ связано с передачей энергии от Yb³⁺ к Er³⁺