Les transistors HEMTs (High Electron Mobility Transistors) de la filiere GaN sont destines a des applications dans les domaines militaire et spatial. C'est pourquoi nous avons etudie l'influence de trois types de stress electriques: a canal ouvert, a canal pince et NGB (Negative Gate Bias), ainsi que l'influence de neutrons thermalises avec une fluence pouvant aller jusqu'a 1,7.10¹² neutrons.cm^-2, sur leurs performances electriques dc. Dans un premier temps, nous avons etudie des HEMTs AlInN/GaN de laboratoire. Pour les trois stress, nous avons observe une diminution du courant de drain ainsi qu'une augmentation de la resistance d'acces dues a la creation de pieges accepteurs et donneurs au cours des differents stress et a la presence de pieges preexistants. Les contacts ohmiques et Schottky n'ont pas ete impactes. Nous avons ensuite irradie ces composants par des neutrons thermalises et avons observe une legere degradation des performances electriques des transistors non stresses et stresses a canal ouvert ou pince. En revanche, nous avons mis en lumiere une legere augmentation du courant de drain pour les transistors ayant subi un stress NGB. De plus, les contacts Schottky ont ete degrades pour les composants stresses. Nous avons egalement irradie des MOS-HEMTs AlInN/GaN et conclu que ceux-ci etaient plus sensibles vis a vis des irradiations que les HEMTs. Dans un deuxieme temps, nous avons stresse de maniere analogue des HEMTs AlGaN/GaN du commerce grace a un banc de caracterisation et de stress automatique developpe durant cette etude. Dans le cas du stress a canal ouvert, nous avons observe une diminution importante du courant de drain tandis que pour les stress a canal pince et NGB le courant de drain augmente legerement a cause d'une liberation de pieges preexistants sous l'action du champ electrique vertical. Pour les trois stress le contact Schottky est degrade. Lors des irradiations avec des neutrons thermalises, ces transistors, stresses ou non, subissent la encore des degradations traduites notamment par une faible diminution du courant de drain. Cependant le contact Schottky n'est impacte que pour les composants non stresses et stresses a canal ouvert. (auteur)