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AbstractAbstract
[en] The compressed baryonic matter experiment (CBM) will explore the behaviour of nuclear matter at extreme densities using Gold-Gold or proton-Gold collisions. The Micro Vertex Detector (MVD) is the CBM instrument closest to the collisions and is being designed using CMOS pixel sensors. The high ionization particles generated by these collisions, such as gold or carbon ions and protons, may introduce radiation effects into the MVD sensors, such as: single-event effects (SEE), total ionization dose (TID) effects and displacement damages. In this thesis, we derive a method to implement radiation-hardening-by-design (RHBD) without compromising the essential features of the CMOS circuits, essentially its size. Using dedicated simulations and considering critical functionalities, we selectively introduced RHDB in two digital parts of the MVD sensor prototype, hardening them considerably against SEE: the read-out architecture and a phase-locked loop circuit. (author)
[fr]
L'experience CBM (compressed baryonic matter) etudiera le diagramme de phase de la matiere nucleaire a des densites extremes, en observant des collisions or-or ou proton-or. Le detecteur Microv Vertex (MVD), l'instrument le plus proche des collisions, est concu a l'aide de capteurs a pixels CMOS. Ces collisions produisent de nombreuses particules tres ionisantes, telles que des ions or, carbone ou des protons. Ces rayonnements peuvent generer differents types de perturbations dans les capteurs du MVD: effets d'evenement unique (SEE), effets de dose d'ionisation totale (TID) et dommages par deplacement. Cette these propose une methode de durcissement aux rayonnements par conception (RHDB) qui respecte les principales contraintes des capteurs imposees par l'experience, notamment leur taille. En identifiant les fonctionnalites critiques du circuit et avec des simulations dediees, nous introduisons une conception HRDB de maniere selective dans deux parties numeriques des capteurs du MVD et reussissons ainsi a augmenter significativement leur resistances aux SEE. Il s'agit de l'architecture de lecture des donnees et d'un circuit a boucle de verrouillage (PLL). (auteur)Original Title
Developpement d'un capteur a pixels CMOS durci aux radiations pour le detecteur de vertex de l'experience CBM
Primary Subject
Source
18 Feb 2021; 179 p; 144 refs.; Available from the INIS Liaison Officer for France, see the INIS website for current contact and E-mail addresses; These Docteur de l'universite de Strasbourg, Specialite: Physique
Record Type
Miscellaneous
Literature Type
Thesis/Dissertation
Report Number
Country of publication
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INIS VolumeINIS Volume
INIS IssueINIS Issue