Pour la realisation des transistors FDSOI 22 nm et 3D FinFET 10 nm, la gravure de couches ultraminces de quelques nanometres d'epaisseur doit etre realisee sans endommagement de la couche sous-jacente et n'est plus envisageable avec les procedes reposant sur les plasmas continus a haute densite. Une nouvelle technologie de gravure est etudiee dans cette these: elle consiste a modifier la surface d'un materiau sous l'action d'un plasma et a retirer par voie chimique le materiau modifie selectivement par rapport au materiau non modifie. Nous nous focalisons ici sur la comprehension de la modification du materiau SiN induite par les plasmas de H₂ et He, suivie d'une gravure chimique realisee en solution de HF. Tout d'abord, un depot de conditionnement est developpe pour prevenir la contamination du substrat et la degradation des parois. Des diagnostics en plasmas de H₂ et He sont ensuite realises pour determiner la nature des ions, leurs flux et leurs energies. Apres exposition du SiN au plasma d'helium, les caracterisations de surface (FTIR, SIMS) indiquent premierement que la composition chimique du SiN est inchangee. De plus, la bonne correlation entre les vitesses de gravure en HF avec les simulations de l'implantation des ions sous SRIM permet de conclure que l'augmentation de la vitesse de gravure est due aux degats induits par les ions dans le materiau. Apres exposition au plasma d'hydrogene, la vitesse de gravure du SiN en HF depend essentiellement de la concentration en hydrogene dans le materiau. Une synergie a lieu entre les radicaux H du plasma et le bombardement ionique: les ions creent des liaisons pendantes qui sont indispensables a la formation de liaisons Si-H et N-H par les radicaux. En outre, nous montrons que le temps de plasma de H₂ et la dose d'ions ont une importance capitale dans la formation de la couche modifiee qui n'atteint parfois un etat stationnaire qu'au bout d'un temps relativement long