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AbstractAbstract
[en] Tl-films with different additions of Tl2Se were condensed upon a quartz plate at 4 K. The superconducting transition temperature and the normal resistance were studied as a function of the Tl2Se-concentration. Approximately 25% of Tl2Se in Tl increased the transition temperature up to 4.2 K. Annealing the films resulted in a pronounced maximum of the normal resistance versus temperature relation at about 240 K for Tl2Se concentrations above 30%. From this maximum the resistance drops rapidly - within a temperature rise of 10 K - to a small value. This is explained by crystallisation of the Tl2Se component which was supposed to be in a liquidlike state before. (orig.)
[de]
Tl-Filme mit verschieden hohen Tl2Se-Zusaetzen wurden bei 4 K auf eine Quarzplatte kondensiert. Die supraleitende Uebergangstemperatur und der elektrische Widerstand wurden unter Beruecksichtigung der Tl2Se-Konzentration gemessen. Bei etwa 25% Tl2Se im Tl stieg die Uebergangstemperatur auf 4,2 K. Tempern der Filme ergab fuer den elektrischen Widerstand als Funktion der Temperatur ein deutliches Maximum bei 240 K fuer Tl2Se-Konzentrationen ueber 30%. Von diesem Hoechstwert faellt der Widerstand - bei einem Temperaturanstieg von 10 K - rasch auf einen kleinen Wert ab. Dieser Umstand wird durch die Kristallisierung der Tl2Se-Komponente erklaert, die vorher in einem fluessigkeitsaehnlichen Zustand vorlag. (orig./AK)Original Title
Supraleitung und elektrischer Widerstand von bei tiefen Temperaturen kondensierten Thalliumschichten mit Tl2Se-Zusatz
Source
5 figs.; 1 tab.; 20 refs.
Record Type
Journal Article
Journal
Z. Phys., B; v. 21(1); p. 47-52
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