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AbstractAbstract
[en] The photocurrent in crossed fields is characterized by the feedback of the transverse ambipolar drift of the excess carriers on the particle velocities in the longitudinal direction. In extrinisc semiconductors this reduction of the particle velocities may cause a negative photocurrent which is here discussed for the case of low plasma densities considering the influence of the ambipolar particle motions, the diffusion currents, the surface recombination, the bulk lifetime, the sample thickness, and the physical magnetoresistance. Numerical calculations were performed for n-InSb at 85 K. (orig.)
[de]
Der photoelektrische Strom in gekreuzten Feldern ist durch Rueckwirkung der transversalen ambipolaren Drift der Ueberschusstraeger auf die Teilchengeschwindigkeiten in Laengsrichtung gekennzeichnet. In extrinsischen Halbleitern kann diese Verringerung der Teilchengeschwindigkeiten einen negativen photoelektrischen Strom bewirken, der hier fuer den Fall geringer Plasmadichte unter Beruecksichtigung des Einflusses von ambipolaren Teilchenbewegungen, Diffusionsstroemen, Oberflaechenrekombination, Massenlebensdauer, Probendicke und physikalischer Magnetoresistenz behandelt wird. Fuer n-InSb bei 85 K wurden theoretische Berechnungen durchgefuehrt. (orig.)Source
7 figs.; 21 refs.
Record Type
Journal Article
Journal
Applied Physics; v. 11(2); p. 141-146
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