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AbstractAbstract
[en] By implantation of phosphorus ions constant impurity profiles were achived in thermally grown SiO2 layers on silicon substrate. The electrical properties of these layers are described by the current-voltage-characteristics. The electrically unformed and formed state may be described by the model of volume SCL currents. The main difference after implantation is not the free carrier density, but the mobility of carriers which increases at a ratio of more than 104. (orig.)
[de]
In thermisch gewachsenen SiO2-Schichten auf Silizium Unterlagen wurden durch Implantation von Phosphor-Ionen konstante Verunreinigungsprofile erzeugt. Die elektrischen Eigenschaften dieser Schichten sind durch die Strom-Spannungs-Charakteristik gegeben. Der elektrisch formierte- und nichtformierte Zustand kann mit dem Modell des Volumen-SCL-Stromes beschrieben werden. Der Hauptunterschied nach Implantation liegt nicht in der Dichte, sondern in der Beweglichkeit der freien Ladungstraeger, die staerker als um einen Faktor 104 zunimmt. (orig.)Source
1976; 6 p; 4. international conference on the physics of non-crystalline solids; Clausthal-Zellerfeld, Germany, F.R; 13 Sep 1976; 7 figs.; 7 refs.
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