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AbstractAbstract
[en] The market requirement for tuning diodes in the low voltage range (< 10 V DC) for car-radio applications and for battery operated receivers has not been solved with present standard technologies. New technologies are necessary to produce hypersensitive doping profiles and to meet the required capacitance voltage variation. With the method of controlled gas phase profile doping during epitaxy dopant variations of 3,000 fold over a distance of 3.6 μ can be made. Mesa-planartechnique and boron diffusion are used for making the pn-junction. Thus diode triplets with a capacity matching performance of < +-1 to 3% and a capacity variation of more than 30 were produced. To get this performance doping profile tolerances of < +-5 %, epilayer thickness variations of < +- 2% and variations in the depth of the pn-layer < +-0.01 μ are necessary. Diodes, produced by these methods, have a good long life stability and show a satisfactorily signalhandling capability. (orig.)
[de]
Die Forderung nach Abstimmdioden fuer niedrige Gleichspannungen (< 10 V) fuer Rundfunkanwendungen im Kraftfahrzeug und fuer Batteriegeraete wurde mit der bisher verwendeten Technologie nicht geloest. Wegen der hohen Anforderungen an den Kapazitaetsspannungshub sind neue Technologien zur Erzeugung von hypersensitiven Stoerstellenprofilen notwendig. Mit dem Verfahren der gesteuerten Gasphasendotierung waehrend der Epitaxie gelingt es Dotierungsvariationen mit dem Faktor 3.000 ueber eine Strecke von 3,6 Mikrometer zu erzeugen. Die Herstellung des pn-Ueberganges erfolgt mit Mesaplanartechnologie und Bordiffusion. So hergestellte Diodentripletts haben einen relativen Kapazitaetsgleichlauf von +-1-3% und einen Kapazitaetshub von 30. Dazu sind Toleranzen im Stoerstellenprofil von < -5% und von < -2% in der Epitaxieschichtdicke und eine um < +-0,01 μ schwankende Tiefe des pn-Ueberganges erforderlich. Die so gefertigten Dioden haben gute Langlebensdauerstabilitaet und eine befriedigende Signalvertraeglichkeit. (orig.)Original Title
Abstimmdioden fuer niedrige Gleichspannungen
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Dec 1976; 67 p; 17 figs.; 9 refs.
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