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Tegeler, E.; Kosuch, N.; Wiech, G.; Faessler, A.
Deutsches Elektronen-Synchrotron (DESY), Hamburg (Germany, F.R.)1977
Deutsches Elektronen-Synchrotron (DESY), Hamburg (Germany, F.R.)1977
AbstractAbstract
[en] The intensity distribution of the N K-emission band of hexagonal boron nitride samples with partially orientated crystallites was found to be strongly dependent upon the take-off angle of the emitted radiation. The observed emission bands can be separated unambiguously into a sigma- and a π-subband. On the basis of the directional characteristic of radiating dipoles within the layers (sigma-bondings) and perpendicular to the layers (π-bonding) the angular dependence of the intensity of the subbands is quantitatively explained. In addition the degree of orientation of the crystallites on the sample can be determined. The intensity distributions of the emission bands to be expected for single crystals and for samples without any texture are determined; in the latter case the results are found to be in good agreement with experimental results. (orig.)
[de]
Die Intensitaetsverteilung der N K-Emissionsbande von Proben hexagonalen Bornitrids mit teilweise orientierten Kristalliten zeigt eine starke Abhaengigkeit vom Abnahmewinkel der emittierten Strahlung. Die gemessenen Emissionsbanden koennen eindeutig in eine sigma- und π-Teilbande zerlegt werden. Auf der Basis der Richtungscharakteristik von strahlenden Dipolen in der Schicht (sigma-Bindung) und senkrecht zur Schicht (π-Bindung) wird die Winkelabhaengigkeit der Intensitaet der Teilbanden quantitativ erklaert. Zusaetzlich kann der Orientierungsgrad der Kristallite in der Probe bestimmt werden. Die Intensitaetsverteilungen der Emissionsbande, wie man sie fuer Einkristalle und Proben ohne Textur erwartet, werden ermittelt; im letzteren Fall befinden sich die Ergebnisse in guter Uebereinstimmung mit experimentellen Ergebnissen. (orig.)Secondary Subject
Source
May 1977; 14 p; 5 figs.; 14 refs.
Record Type
Report
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