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AbstractAbstract
[en] The results of channelling-investigations on single-crystals of A15-type structure, like e.g. V3Si, are not directly comparable to analytical model-calculations. Therefore the channelling-process was simulated in a Monte-Carlo-program on the basis of the binary-collision-model. The calculated values for the minimum yield, Chisub(min), and the critical angle, Psisub(1/2), were in good agreement with the results of experiments with 2 MeV-4He+-particles. The lattice damage in the range of 2,000 Angstroem at the surface after an irradiation with a fluence of 6 x 1016-4He+/cm2 at 300 KeV could be explained by normally distributed static displacements of the V-atoms with a mean value of 0.05 A. The transverse damage structure after an irradiation with a fluence of 1.5 x 1016-4He+/cm2 at 50 KeV could be simulated by a step profile of 50% displacements of the V-atoms with a maximum value of 0.5 Angstroem at the depth of the projected range. (orig./HPOE)
[de]
Die Ergebnisse von Channeling-Untersuchungen an Einkristallen des A15-Strukturtyps, wie z.B. an V3Si lassen sich nur in unzureichender Weise mit analytischen Modellrechnungen vergleichen. Deshalb wurde in dieser Arbeit der Channelling-Prozess in einem Monte-Carlo-Programm unter Verwendung des Binaeren-Stoss-Modells simuliert. Die berechnten Werte fuer die minimale Ausbeute, Chisub(min), und den kritischen Winkel, Psisub(1/2), waren in guter Uebereinstimmung mit den Ergebnissen von Experimenten mit 2 MeV-4He+-Teilchen. Die Gitterstoerungen nach Bestrahlung mit einer Fluenz von 6 x 1016-4He+/cm2 der Energie 300 keV liessen sich im Durchschussbereich durch normalverteilte statistische Verlagerungen der V-Atome von im Mittel 0.05 Angstroem erklaeren. Die laterale Defektstruktur nach Bestrahlung mit einer Fluenz von 1.5 x 1016-4He+/cm2 der Energie 50 keV liess sich am Ende der Reichweite durch ein Rechteckprofil mit 50% Verlagerungen derV-Atome von maximal 0.5 Angstroem simulieren. (orig./HPOE)Original Title
Monte-Carlo-Rechnungen zur Simulation von Channelling-Experimenten an V3Si-Einkristallen
Source
May 1978; 135 p
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